特許

J-GLOBAL ID：200903089893674752

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 九ノ里 勇一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-037248
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283667
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 素子特性に影響を与えることなく極めて暗電流の低い固体撮像素子を安定に得る。【構成】 半導体基板1上に絶縁層3を介して電荷転送電極3を形成し、電荷転送電極3の上部にリンガラス層5を介してアルミ配線6を形成する。そしてアルミ配線6以降の通常の処理でも低温(500°C以下)処理しか行わない工程において、N-H結合を有する半導体膜としてプラズマナイトライド膜4を1000オングストローム以上形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁層を介して形成された電荷転送電極と、該転送電極上に形成された遮光膜とを備えた固体撮像素子において、上記電荷転送電極と接続する配線層又は上記遮光膜の少なくとも一方が形成された後に形成されたN-H結合を有する半導体膜を備えたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4件)：

H01L 27/148 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H04N 1/028

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 23/30 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-044760
  
• 特開昭63-044761