特許
J-GLOBAL ID：200903089893984042
プラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214257
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061182
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、微細パターン内の局部的なチャージアップを防止してノッチの発生を防ぎ、異方性と選択比を共に向上させてエッチングを行うことができると共に、半導体ウエハの周辺部においても充分な異方性エッチングが行えるプラズマエッチング装置を得ることを目的とする。【構成】 反応室1内には、半導体ウエハ2を載置したステージ3が配置され、反応室1の外部には、反応室1内にマイクロ波を導入するマイクロ波電源5及び磁場を印加するコイル8が配置されている。さらに、ステージ3を介して半導体ウエハ2にパルスバイアス電圧を印加するパルス電源18が設けられている。このパルス電源18によって、イオンシース電界を消失させて電子を微細パターン底部まで入射させ、正電荷を中和してノッチの発生を防止する。
請求項（抜粋）：
試料を載置するステージと、このステージを内部に収容する反応室と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段で発生したマイクロ波を上記反応室に導く導波管と、上記反応室内に磁場を印加する磁場発生手段と、上記反応室内に反応性ガスを導入するガス導入管と、上記反応室内を排気する排気手段とを備え、電子サイクロトロン共鳴により上記反応性ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより上記試料をエッチング処理するプラズマエッチング装置であって、上記試料にパルスバイアス電圧を印加するパルス電源を設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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