磁気記憶素子及び磁気記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-215593
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049264
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】低消費電力で、安定的な書き込みが可能な磁気記憶素子及び磁気記憶装置を提供する。【解決手段】第1固着層と、第2固着層と、第1固着層と第2固着層との間に設けられた記憶層と、前記第1固着層と前記記憶層との間に設けられた第1中間層と、前記第2固着層と前記記憶層との間に設けられた第2中間層と、前記第1固着層に接続された第1電極と、前記第2固着層に接続された第2電極と、前記第1中間層に接続され、前記記憶層に直接接続されていない第3電極と、を備え、前記第1固着層、前記第2固着層、および前記記憶層のそれぞれの磁化方向は、互いに平行または反平行であり、前記第1電極と前記第3電極の間で電流を、第1の極性で、第1固着層に流れる電流が第1の閾値以上になるように流した場合に、前記記憶層の磁化方向が、第1の方向となり、前記電流を、第2の極性で、第1固着層に流れる電流が第2の閾値以上になるように流した場合に、前記記憶層の磁化方向が、第2の方向となる、ことを特徴とする磁気記憶素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性体を含み、磁化方向が固定された第1固着層と、強磁性体を含み、磁化方向が固定された第2固着層と、前記第1固着層と前記第2固着層との間に設けられ、強磁性体を含み磁化方向が可変の記憶層と、前記第1固着層と前記記憶層との間に設けられ、非磁性体からなる第1中間層と、前記第2固着層と前記記憶層との間に設けられ、非磁性体からなる第2中間層と、前記第1固着層に接続された第1電極と、前記第2固着層に接続された第2電極と、前記第1中間層に接続され、前記記憶層に直接接続されていない第3電極と、を備え、前記第1固着層、前記第2固着層、および前記記憶層のそれぞれの磁化方向は、互いに平行または反平行であり、前記第1電極と前記第3電極の間に電流を双方向に流すことが可能とされ、前記電流を、第1の極性で、第1固着層に流れる電流が第1の閾値以上になるように流した場合に、前記記憶層の磁化方向が、第1の方向となり、前記電流を、第2の極性で、第1固着層に流れる電流が第2の閾値以上になるように流した場合に、前記記憶層の磁化方向が、第2の方向となる、ことを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 112

Fターム (44件)：

4M119AA01 , 4M119AA07 , 4M119AA08 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD26 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE05 , 4M119EE24 , 4M119EE27 , 4M119JJ09 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AC15 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB38 , 5F092BB40 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC42 , 5F092BE14 , 5F092BE25 , 5F092BE27 , 5F092CA23 , 5F092CA25 , 5F092GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6980469B2号明細書

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