表示装置及びその作製方法、並びにテレビジョン装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-015070
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244197
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】本発明の表示装置の作製方法の一は、撥液性領域を形成し、撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、親液性領域を形成し、親液性領域に、導電性材料を含む組成物を吐出しゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、半導体層上に、導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層又はドレイン電極層に接して画素電極層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

撥液性物質及び親液性物質を有する絶縁表面上に設けられたゲート電極層を含む薄膜トランジスタを有し、前記ゲート電極層は前記親液性物質の上に設けられており、前記ゲート電極層のチャネル方向の幅は5μm以下であることを特徴とする表示装置。

IPC (9件)：

H01L21/336 , H01L21/288 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/00 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (11件)：

H01L29/78 627C , H01L21/288 Z , H05B33/10 , H05B33/14 A , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 612D , H01L29/78 626C , H01L29/28 , H01L29/58 G , H01L29/44 L

Fターム (132件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD06 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104DD51 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104EE01 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH09 , 4M104HH12 , 4M104HH20 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE27 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HK39 , 5F110HK41 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HL27 , 5F110NN02 , 5F110NN13 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ12 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052460 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (9件)

デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-119963 出願人：セイコーエプソン株式会社
カラー液晶表示装置における電極基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-037292 出願人：大日本印刷株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-356339 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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