特許

J-GLOBAL ID：200903089899024040

縁の剥落を避ける自己平坦化DRAMチップ

発明者： 岩切 貴史
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180721
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040804
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 縁の問題を考慮したDRAMアレイ。【解決手段】 DRAMキャパシタ・セルを形成する為に使われるダミー酸化物14が周辺トランジスタ上の所定位置に残され、DRAMアレイと周辺回路の間の高さの違いを減少し、縁効果に対して保護する。

請求項（抜粋）：

その高さが、メモリ・アレイの外側の区域に於けるキャパシタの高さに大体等しいような誘電体層を保ちながら、半導体ウェーハの上にクラウン・セル・キャパシタのアレイを形成する工程を含む製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  G11C 17/00 625