特許
J-GLOBAL ID：200903089903348735
半導体集積回路の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056401
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104153
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 極めて平面性の高いウエハーを、比較的廉価で得る方法を提供する。特に、多くのチップ製造装置において使用されている研磨グラインド、ポリシュの装置を利用して実施可能な、実用性の高い方法を提供する。【構成】 ハンドルウエハー2の各主表面の上に酸化物層3、4を形成する。ハンドルウエハー2に作業用ウエハー1を絶縁状態で接合して、作業用ウエハー1、ハンドルウエハー2、および露出した酸化物層4を有する接合ウエハー5を形成する。酸化物層4を基準平面として用いて作業用ウエハー1を所定の厚さまで薄くするようにして、接合ウエハー5の両方の主表面を研磨する。一般的には、酸化物層3、4に対して作業用ウエハー1を選択的に除去するエッチング材料を用いて研磨する。
請求項（抜粋）：
ハンドルウエハー(2)の各主表面の上に酸化物層(3、4)を形成するステップと、作業用ウエハー(1)、ハンドルウエハー(2)、露出した酸化物層(4)を有する接合ウエハー(5)を形成するために、前記ハンドルウエハー(2)に作業用ウエハー(1)を絶縁状態で接合するステップと、前記酸化物層(4)を基準平面として用いて前記作業用ウエハー(1)を所定の厚さまで薄くするようにして、前記接合ウエハー(5)の両方の主表面を研磨するステップとを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 27/12
