特許
J-GLOBAL ID：200903089905844721
焦電型赤外線センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-306798
公開番号（公開出願番号）：特開平9-126884
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 アルカリ系湿式異方性エッチングが不都合なく適用可能であり且つ性能の優れた焦電型赤外線センサ、及び該焦電型赤外線センサを容易に得ることができるその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン半導体基板1上に設けられたメンブレン構造(メンブレン9)と、該メンブレン構造の下に形成された空隙6とを備えてなる焦電型赤外線センサにおいて、前記メンブレン構造は、支持膜3,導電性でアルミニウム又はアルミニウム合金よりも熱伝導率が小さく且つアルカリ系湿式異方性エッチングに耐え得る材料からなる下部電極4,焦電膜7,上部電極8を順次積層・形成されてなる。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板上に設けられたメンブレン構造と、該メンブレン構造の下に形成された空隙とを備えてなる焦電型赤外線センサにおいて、前記メンブレン構造は、支持膜,導電性でアルミニウム又はアルミニウム合金よりも熱伝導率が小さく且つアルカリ系湿式異方性エッチングに耐え得る材料からなる下部電極,焦電膜,上部電極が順次積層・形成されてなることを特徴とする焦電型赤外線センサ。
IPC (5件)：
G01J 1/02
, G01J 5/02
, H01L 27/14
, H01L 31/0248
, H01L 37/02
G01J 1/02 Y
, G01J 5/02 P
, H01L 37/02
, H01L 27/14 K
, H01L 31/08 G
