特許

J-GLOBAL ID：200903089906587404

薄膜ダイヤモンドの製造方法

発明者： 松永 宏典 ,  田中 潤一 ,  上西 繁 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288453
公開番号（公開出願番号）：特開平6-135798
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：

【要約】【目的】 基板表面に簡単な前処理を施すことによって核発生密度を高めて緻密な薄膜ダイヤモンドを形成する。【構成】 p型(Bドープ,10〜15Ωcm)シリコン(100)面片面光学研磨基板1に対して、電解液として47%フッ化水素と水の体積費1:1の混合液を用い、シリコン基板1の裏面にアルミ電極を形成する一方対向電極として白金を用いて陽極化成処理を実施する。その結果、シリコン基板の結晶性を損なわずに多孔質シリコン層2を形成でき、この多孔質層付きシリコン基板に格子歪みを制御性良く導入できる。こうして、簡単な前処理によって大きな格子歪みを形成することによってダイヤモンド粒子による傷付け前処理を施した場合と同程度の核発生密度を得ることができ、気相法によって薄膜ダイヤモンドを合成すれば緻密な多結晶薄膜ダイヤモンドを形成できる。

請求項（抜粋）：

フッ酸を含む電解液中での陽極化成処理を実施して基板表面に多孔質層を形成することによって格子歪みを導入した後、該基板上に薄膜ダイヤモンドを気相合成することを特徴とする薄膜ダイヤモンドの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-205397
  
• 特開平1-119671
  
• 特開平2-030697