特許
J-GLOBAL ID：200903089911209744
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276932
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132602
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる低雑音の半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体レーザチップの前端面を、少なくとも発光部3を除いてエッチングにより結晶表面6を荒した構成による。この構成により外部の光学部品からの戻り光によって発生するノイズを抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザチップの前端面の、少なくとも発光部を除いた結晶表面に凹凸が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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