特許

J-GLOBAL ID：200903089914448375

半導体装置及びその製造方法

発明者： 江口 公平
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-252298
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135007
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 SrTiO3 ,BaTiO3 および(Ba,Sr)TiO3 などの誘電体材料からなる強誘電体を誘電体として用いた容量素子を有する、微細加工された半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上にキャパシタを形成する際に、まず、キャパシタの下部電極12が形成される。前記下部電極12が形成された後、前記下部電極12が露出するまで絶縁膜13が選択的にエッチングされることにより、前記絶縁膜13に開孔部13aが形成される。次に、強誘電体膜14が開孔部13a内及び絶縁膜13上に形成された後、強誘電体膜14が開孔部13a内に残存するように、強誘電体膜14が化学的機械的研磨法により研磨除去される。その後、キャパシタの上部電極15が強誘電体膜14上に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、前記キャパシタの下部電極を形成する第1の工程と、前記下部電極上に絶縁膜を形成する第2の工程と、前記絶縁膜を前記下部電極が露出するまで選択的にエッチングすることにより、前記下部電極に開孔部を形成する第3の工程と、前記開孔部内及び前記絶縁膜上に強誘電体膜を形成する第4の工程と、前記開孔部内に前記強誘電体膜が残存するように、化学的機械的研磨法により前記強誘電体膜を除去する第5の工程と、前記強誘電体膜上に前記キャパシタの上部電極を形成する第6の工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C