特許
J-GLOBAL ID：200903089924950664
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344475
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196692
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】工程数を増加することなく、抵抗素子となる部分が微細化しても低抵抗化することを防止することができ、且つ、保護能力が向上した半導体集積回路装置を提供する。【構成】抵抗素子は、ウエル領域2から構成されると共に、電極端子間上部の少なくとも一部がフィールド酸化膜4下部に位置し、当該フィールド酸化膜4下部の少なくとも一部に、前記ウエル領域2と逆導電性を有し且つその一部が当該ウエル領域2の外部に亘って形成された導電層領域5を形成した構造を有する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極表面及びソース・ドレイン領域上にシリサイド層が形成された金属-絶縁膜-半導体構造と、抵抗素子と、を同一基板上に備えた半導体集積回路装置において、前記抵抗素子は、ウエル領域から構成されると共に、電極端子間上部の少なくとも一部がフィールド酸化膜下部に位置し、前記フィールド酸化膜下部の少なくとも一部に、前記ウエル領域と逆導電性を有し且つその一部が当該ウエル領域の外部に亘って形成された導電層領域を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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