特許
J-GLOBAL ID：200903089931355321
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-032334
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222164
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 半導体素子の保護を図りつつ、更なる小型化・薄型化を為し得ると共に、製造工程中の不良発生を防止し、生産性の向上を可能とする、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子30と、配線24が形成された一方の面23aと、その反対面となる他方の面23bとを有する絶縁層23とを備え、半導体素子30が、能働面と側面とが絶縁層23に被覆され、且つ該能働面が絶縁層23の一方の面を向くよう、絶縁層23に埋め込まれ、半導体素子30の背面が、保護膜22により被覆され、半導体素子30と配線24とが電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体素子と、
配線が形成された一方の面と、その反対面となる他方の面とを有する絶縁層とを備え、
前記半導体素子が、能働面と側面とが前記絶縁層に被覆され、且つ該能働面が前記絶縁層の一方の面を向くよう、前記絶縁層に埋め込まれ、
前記半導体素子の背面が、保護膜により被覆され、
前記半導体素子と前記配線とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/52
, H01L 21/320
H01L23/12 501P
, H01L21/88 T
5F033HH08
, 5F033KK08
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033TT04
, 5F033VV00
, 5F033VV07
