特許
J-GLOBAL ID:200903089933404273

アクティブ・クランプ回路

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-146162
公開番号(公開出願番号):特開2000-340669
出願日: 1999年05月26日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 電力用半導体素子をサージ電圧等から保護するアクティブ・クランプ回路において、任意のクランプ電圧を得る回路を提供し、チップ面積を大型化せずに済む。【解決手段】 ゲート電極に、制御信号が入力し、直列に接続の負荷素子13に電流を流すようにオンするパワーMOSトランジスタ12と、第1の抵抗15と、該一端と直列に接続の第2の抵抗14と、第1の抵抗の他端と、アノード端が直列に接続の逆流防止用ダイオード17と、MOSトランジスタ16と、該ソース電極と、カソード端が接続の定電圧ダイオード18とを備え、パワーMOSトランジスタのドレイン電極と、ゲート電極間に、第1の抵抗15及び第2の抵抗14及び逆流防止用ダイオードが直列に接続し、MOSトランジスタのドレイン電極は、パワーMOSトランジスタ21のドレイン電極に接続し、定電圧ダイオードのアノード端は、逆流防止用ダイオードのアノード端に接続する。
請求項(抜粋):
ゲート電極に、制御信号が入力されることによって、直列に接続された負荷素子に電流を流すようにオンする電力用トランジスタと、第1の抵抗と、前記第1の抵抗の一端と直列に接続される第2の抵抗と、前記第1の抵抗の他端と、アノード端が直列に接続される逆流防止用ダイオードと、MOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのソース電極と、カソード端が接続される定電圧ダイオードと、を備え、前記電力用トランジスタのドレイン電極と、前記ゲート電極との間に、前記第1の抵抗及び第2の抵抗及び逆流防止用ダイオードが直列に接続され、前記MOSトランジスタのドレイン電極は、前記電力用トランジスタのドレイン電極に接続され、前記定電圧ダイオードのアノード端は、前記逆流防止用ダイオードのアノード端に接続されることを特徴とするアクティブ・クランプ回路。
IPC (5件):
H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78
FI (4件):
H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 657 B
Fターム (40件):
5F038AR09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH12 ,  5F038DF20 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA23 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EB14 ,  5F040EC07 ,  5F040EF04 ,  5F040EF05 ,  5F040EF18 ,  5F040EH07 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AB05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA12 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC10 ,  5F048CC15 ,  5F048DA07 ,  5F048DA08

前のページに戻る