特許
J-GLOBAL ID：200903089938240775
配線基板の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207436
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066552
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】高密度、高アスペクト比配線の多層化に伴う配線および絶縁層による凹凸を抑制し、信頼性の高い薄膜多層基板を製造する方法を提供することにある。【構成】基板上1に配線パターンを形成し、配線間の粗密を解消するため樹脂等を用いてダミー配線8を形成する。配線とダミー配線が混在するパターンの上に絶縁層4を塗布する。このダミー配線を形成することにより、基板上の配線の粗密を解消し、絶縁膜を塗布した際に表面の平坦性を向上することが出来る。【効果】本発明によれば、高アスペクト比の配線に対する絶縁膜を平坦に形成することができる。
請求項（抜粋）：
電源線、信号線等(以下配線と呼ぶ)のパターンを形成した後、絶縁層を形成する配線基板の製造方法において、前記配線パターンの近傍に配線と関係のないダミーパターンを設置することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 Q
