不揮発性記憶ラッチ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-543970
公開番号（公開出願番号）：特表2002-511631
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：

【要約】本発明の一態様では、1つまたは複数の磁気素子をその中に含む不揮発性ラッチ素子が提供される。磁気素子を適当な抵抗値にプログラムすることにより、ラッチ素子は、パワー・アップ時に、予めプログラムされた状態をとる。磁気素子は、1つまたは2つの層ワード線を使用してプログラムされることが好ましい。本発明の別の態様では、磁気素子は、活性な強磁性層としてCoFeのみを利用し、一方の強磁性層を他方より薄くして、疑似スピン・バルブ構造として形成される。これにより、設計を簡略にしながらモーメントの高い材料を維持し、大きなGMR比を達成する。

請求項（抜粋）：

電源によって電力を供給され、2つの安定状態のうちの一方を有するデータのビットを選択的に記憶するラッチ素子と、第1の磁気的プログラマブル抵抗をその中に生成するため前記ラッチ素子の第1の部分と前記電源との間に挿入され、これにより前記電源の電源投入時に前記ラッチ素子に前記2つの安定状態のうちの所望の一方をとるようにさせる第1の磁気的手段と、を含む不揮発性ラッチ。

IPC (5件)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H03K 3/037

FI (5件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H03K 3/037 Z , H01L 27/10 447

Fターム (7件)：

5F083FZ10 , 5J043AA13 , 5J043EE01 , 5J043HH01 , 5J043JJ10 , 5J043KK06 , 5J043KK08

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭63-136386

審査官引用 (2件)

特開昭63-136386
特開昭63-136386

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