特許

J-GLOBAL ID：200903089954409887

レジスト除去方法

発明者： 恒川 助芳 ,  川▲崎▼ 裕通
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-352256
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183034
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】低誘電率膜加工後のレジストを、下地の低誘電率膜を劣化させることなく、効率よく除去する。【解決手段】酸素ラジカルの生成にプラズマを用いず、オゾンの熱分解によって生成した酸素ラジカルのみによってアッシングし、紫外線の照射や荷電粒子(イオンや電子等)の衝突による低誘電率絶縁膜の劣化を防ぐ。

請求項（抜粋）：

低誘電率薄膜上のレジスト除去方法において、オゾンの熱分解によって生成した酸素ラジカルによって上記レジストをアッシングすることを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/09 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (5件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/09 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/88 D

Fターム (22件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025DA18 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096LA06 ,  5F004BA19 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004CB02 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033XX25 ,  5F046MA13