特許
J-GLOBAL ID：200903089955878589
スパッタリング装置および強磁性積層膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314698
公開番号（公開出願番号）：特開平7-054145
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年02月28日
要約：
【要約】【目的】 強磁性膜の異方性を制御できる量産型スパッタリング装置および等方的に高周波特性の優れた強磁性積層膜の形成方法の提供。【構成】 チャンバー7内に回転自在に設けられた多角柱状の基板ホルダー1とこれに対向配置された磁性体ターゲット3との間にマスク10を配設する。基板ホルダー1と磁性体ターゲット3との間に電圧を印加し、チャンバー7内にスパッタガスを導入する。磁性体ターゲット3からのスパッタ物質によって基板の表面に磁性体膜が形成される。スパッタ物質の基板への入射方向をマスク10の開口幅Wの切り替えで行う。基板ホルダー1を回転または移動させつつスパッタ形成する段階と、固定してスパッタ形成する段階とを設けてもよい。いずれにしても、磁性体膜の磁化容易軸方向を制御できる。
請求項（抜粋）：
スパッタガス供給源に通じるチャンバーと、被加工物たる基板を支持する基板支持面を支軸に並行な多面に有し、支軸を軸にしてチャンバー内で回転する多角柱状の基板ホルダーと、チャンバー内に設置されて、基板ホルダーの回転に伴い基板ホルダーの多面の基板支持面に順次に対面するスパッタ物質発生源たる磁性体ターゲットと、磁性体ターゲットと基板ホルダーとの間に電圧を供給する電圧供給手段と、マスクとからなり、前記マスクは前記磁性体ターゲットと前記基板ホルダーとの間に設置されて、前記スパッタ物質の前記基板への入射角を制御する開口を有していることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, G11B 5/31
, H01F 41/18
