特許
J-GLOBAL ID：200903089959722435
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001162
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206292
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】サブミクロン領域の多層配線のコンタクト用スルーホールの寸法制御を容易にする。【構成】下層の配線3の上に設けた層間絶縁膜としての酸化シリコン膜4に設けるコンタクト用のスルーホール5の開孔面積をすべて同じ大きさにし、電流容量の大きい部分には複数のスルーホール5を並べることにより、実効的なコンタクト面積を増加させる。【効果】スルーホールの開孔寸法を同じにすることにより、露光やエッチングの条件によるスルーホールの寸法ずれを無くし、開孔精度を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けた絶縁膜の上に設けた下層配線と、前記下層配線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に設け且つすべて同一の開孔寸法を有するスルーホールと、前記スルーホールを介し且つスルーホールの個数によりコンタクト面積を加減して下層の配線と電気的に接続する上層の配線とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
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