特許
J-GLOBAL ID:200903089962947278
長波長垂直方向キャビティレーザーの波長分別多重方式アレイ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-617530
公開番号(公開出願番号):特表2002-544674
出願日: 2000年04月25日
公開日(公表日): 2002年12月24日
要約:
【要約】半導体デバイスは、短波長光ポンプによってポンピングされる長波長VCSELアレイを有している。長波長VCSELアレイは一連の半導体凹部を有しており、各半導体凹部は、VCSELの2つの層の間に位置していて、作動中VCSELの横方向形状に実質的にオーバラップする。
請求項(抜粋):
垂直方向キャビティ表面放射レーザー(VCSEL)において波長調整するための方法であって、 第1のウェーハにVCSELの第1の部分を設け、 第2のウェーハにVCSELの第2の部分を設け、 前記第1または第2の部分の一方にエッチングで少なくとも1つの凹部を形成し、さらに、 動作中のVCSELの横方向形状に実質的にオーバラップする位置に、埋込半導体凹部が形成されるように前記第1のウェーハと第2のウェーハとを結合するステップを含むことを特徴とする、垂直方向キャビティ表面放射レーザー(VCSEL)において波長調整するための方法。
IPC (3件):
H01S 5/183
, H01S 5/04
, H01S 5/42
FI (3件):
H01S 5/183
, H01S 5/04
, H01S 5/42
Fターム (9件):
5F073AA74
, 5F073AB06
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073CA04
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA22
, 5F073EA02
前のページに戻る