特許

J-GLOBAL ID：200903089965001723

窒化クロム膜被覆基体及びその製造方法

発明者： 西山 哲 ,  江部 明憲 ,  今井 修 ,  緒方 潔
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260671
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118829
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：

【要約】【構成】 基体上に窒化クロム膜が被覆されている窒化クロム膜被覆基体であって、前記窒化クロム膜が、約0.5〜5.0の範囲のクロム原子と窒素原子との組成比を有し、かつCrN(200)とCr(110)とのX線回折ピークを有する窒化クロム膜被覆基体。【効果】 密着性、硬度及び化学的安定性に優れた膜で被覆された基体を得ることができる。また、窒化クロム膜が、CrN(200)のみのX線回折ピークを有し、かつ窒化クロム膜内のクロム原子と窒素原子との組成比が基体表面から膜表面に移行するにつれて減少し、膜表面側で約1.0の前記組成比を有する場合には、基体近傍に、窒素原子と結合しないクロム原子を存在させることにより、膜の密着性をより向上させることができ、さらに硬度に優れた膜で被覆した基体を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基体上に窒化クロム膜が被覆されている窒化クロム膜被覆基体であって、前記窒化クロム膜が、約0.5〜約5.0の範囲のクロム原子と窒素原子との組成比を有し、かつCrN(200)とCr(110)とのX線回折ピークを有することを特徴とする窒化クロム膜被覆基体。

IPC (2件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/32