特許

J-GLOBAL ID：200903089965224315

燐光体変換半導体発光装置のための燐光体

発明者： レジーナ ベー ミューラー マッハ ,  ゲルト オー ミューラー
出願人/特許権者： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッド ライアビリティ カンパニー
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-123145
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311373
出願日： 2005年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 燐光体変換半導体発光装置を提供する。【解決手段】 n型領域とp型領域の間に配置されて第1の波長の光を放射するように構成された発光層を含む半導体発光装置は、従来のセリウムドープガーネット燐光体よりも広い励起スペクトルを有するセリウムドープガーネット燐光体と組み合される。いくつかの実施形態では、この燐光体は、約4モル%と約8モル%の間のセリウム濃度を有する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

n型領域とp型領域の間に配置され、第1の波長の光を放射するように構成された発光層を含む半導体発光装置と、 約4モル%と約8モル%の間のセリウム濃度を有するセリウムドープガーネット燐光体と、 を含むことを特徴とする構造。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (4件)：

5F041AA14 ,  5F041CA40 ,  5F041DA12 ,  5F041DA43

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 米国特許第5,998,925号
  
• 米国特許第6,696,703号
  
• 米国特許第6,650,044号
  
• 米国特許第6,576,488号
  
• 米国特許出願出願番号第10/678,541号