特許
J-GLOBAL ID：200903089965429251
半導体レーザ素子の放熱方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083916
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291693
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 光電子機器に組み込まれた半導体レーザ素子を経済的で、しかも効率良く放熱する方法を得る。【構成】 主要熱伝導経路となる銀ブロック3とパッケージステム4に貫通穴18を設けこの貫通穴18に熱伝導バイパス経路となる熱伝導性のよい条材また線材からなるワイヤ16の1端を半田固定し他端をケース14に接地し、放熱のバイパス経路を付加した。
請求項（抜粋）：
光電子機器のケースあるいは回路基板上に設置された半導体レーザ素子の放熱方法において、半導体レーザ素子のグランドピンに可撓性を有した熱伝導性のよい条材または線材からなるワイヤの1端を半田固定し、他端をケースに接地させ、グランドピン及びワイヤを介して冷却する様にした事を特徴とする半導体レーザ素子の放熱方法。
IPC (2件)：
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