特許

J-GLOBAL ID：200903089979448445

配線構造の形成方法

発明者： 松本 晋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185777
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031638
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】低誘電率膜104に対してトレンチエッチングを行ってもフェンス113が形成されない、配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】ヴィアホール106の側壁部分に犠牲層107を形成する。その後レジストプラグ108と第2配線トレンチパターン109を形成後、犠牲層107を除去し、ヴィアホール106と低誘電率膜104の間に犠牲層107分の隙間を形成する。その後、トレンチエッチング工程において生成するデポ物110はその隙間に堆積されるため、デポ物110が低誘電率膜104のエッチング時におけるマスクとなることはない。その結果、フェンスは形成されない、配線構造を形成出来る。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

低誘電率膜に第1の溝を形成する工程と、 前記第1の溝の内壁にある前記低誘電率膜の表面部分に犠牲層を形成する工程と、 前記第1の溝中に、前記低誘電率膜と選択除去可能な材料からなるプラグを形成する工程と、 前記第1の溝を含む第2の溝を形成するためのレジストパターンを形成する工程と、 前記プラグの側壁に隣接している前記犠牲層を除去する工程と、 前記低誘電率膜をエッチングし、第2の溝を形成する工程と、 前記プラグ及び前記レジストパターンを選択的に除去し、前記低誘電率膜に、前記第1の溝を含む領域及び前記第2の溝を含む領域を形成する工程とを備えた、配線構造の形成方法。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 A

Fターム (39件)：

5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK12 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR23 ,  5F033TT07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX24