特許
J-GLOBAL ID：200903089980500477
サブミクロンシリコン線とポリシリコン線のケイ化物の厚さを均一にする方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330254
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 0.5ミクロン以下のポリシリコンの細線に特に適したケイ化プロセスを開示する。【解決手段】 半導体主要部(10)の上にチタン層(20)を堆積させる。つぎに(20)の上に反応被覆層(22)を堆積させ、後続の反応ステップ中に(20)に異物が入ることを防止する。窒素を含む雰囲気中で(20)を反応させることにより、ケイ化物層(32)と層(34)が形成する。つぎに(22)と(34)を除去して、(32)の上に熱処理被覆層(36)を堆積させ熱処理ステップ中に(32)に異物が入ることを防止する。オプションとして反応前非晶質化打ち込みおよび熱処理前非晶質化打ち込みを実行してもよい。つぎにケイ化物の熱処理を実行して、より低い抵抗率の相のケイ化物に変える。上記プロセスにより、低面積抵抗率のケイ化物を得ることができる。
請求項（抜粋）：
ポリシリコン線のケイ化プロセスであって、前記ポリシリコン線の上にチタンの層を堆積させるステップと、前記チタンの層を前記ポリシリコン線と反応させてケイ化物層を生成するステップと、前記ケイ化物層の上に熱処理被覆層を堆積させるステップと、前記熱処理被覆層を堆積させるステップの後に、600°Cより高い温度で前記ケイ化物層を熱処理するステップと、を備えたことを特徴とするケイ化プロセス。
IPC (5件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/285 301
, H01L 21/324
, H01L 21/3205
, H01L 21/203
H01L 21/28 301 D
, H01L 21/285 301 T
, H01L 21/324 Z
, H01L 21/203 S
, H01L 21/88 Q
