特許

J-GLOBAL ID：200903089981114449

酸化物超電導体の成膜方法

発明者： 井上 貴之
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365520
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181092
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 従来の酸化物超電導体の成膜方法では基板を高温にしなければならないために、耐熱性に劣る基板の表面には良好な特性の酸化物超電導体を成膜できなかった。【解決手段】 レーザ光4を透過する転写基板1の表面に酸化物超電導体の膜2’を形成し、転写基板1の表面に所定間隔をもって平行に基板3を対向配置した後、転写基板1の裏面側からレーザ光4を照射することによって、基板3の表面に酸化物超電導体の膜2を転写する酸化物超電導体の成膜方法である。耐熱性に劣る基板3の表面にも良好な特性の酸化物超電導体の膜2を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

レーザ光を透過する転写基板の表面に酸化物超電導体の膜を形成し、前記転写基板の表面に所定間隔をもって平行に基板を対向配置した後、前記転写基板の裏面側から前記レーザ光を照射することによって、前記基板の表面に前記酸化物超電導体の膜を転写することを特徴とする酸化物超電導体の成膜方法。

IPC (4件)：

C30B 29/22 501 ,  B01J 19/12 ,  C23C 26/00 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (5件)：

C30B 29/22 501 E ,  B01J 19/12 G ,  B01J 19/12 B ,  C23C 26/00 Z ,  H01L 39/24 ZAA B

Fターム (28件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075CA02 ,  4G075CA05 ,  4G075CA36 ,  4G075CA62 ,  4G075FB04 ,  4G075FC04 ,  4G077AA03 ,  4G077BC57 ,  4G077DA03 ,  4K044AA13 ,  4K044AA16 ,  4K044BA12 ,  4K044BB01 ,  4K044BC14 ,  4K044CA41 ,  4K044CA53 ,  4M113AC44 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA04 ,  4M113CA31 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36