特許
J-GLOBAL ID：200903089984126154
薄膜形成方法及び薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249590
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098032
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 光導入用光学窓の曇りによる光強度の経時変化の少なく、かつ薄膜の膜質及び膜厚の基板面内分布が光強度の面内分布に依存しない、光励起CVD法による誘電体薄膜の形成方法及び薄膜形成装置を実現する。【解決手段】 光励起を反応槽と分離したガスセル内で行う。
請求項（抜粋）：
少なくとも1種類の気体分子を光励起せしめ、反応槽内に装填した基板表面に上記気体分子を原料とする薄膜を堆積する薄膜形成方法において、上記反応槽の外部で上記気体分子を個別に光励起したる後、該光励起分子を上記反応槽内へ導入することによって上記薄膜を堆積せしめることを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, H01L 21/316 X
