特許
J-GLOBAL ID:200903089992876359
膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、多層配線基板、半導体チップの実装構造、電気光学装置、電子機器、ならびに非接触型カード媒体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-119572
公開番号(公開出願番号):特開2003-317553
出願日: 2002年04月22日
公開日(公表日): 2003年11月07日
要約:
【要約】【課題】 簡便な工程にて高精度の膜パターンを形成することが可能な膜パターンの形成方法および膜パターン形成装置、ならびに導電膜配線、多層配線基板、半導体チップの実装構造、電気光学装置、電子機器、ならびに非接触型カード媒体を提供する。【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、液滴吐出法によって、基板上の所定の膜形成領域に膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、(a)膜形成成分を含有する液状物からなる第1の液滴22aと、第1の液滴22aと混ざり合わない性質を有する第2の液滴24aとを、隣り合う位置にそれぞれ吐出し、(b)第1の液滴22aに含まれる前記膜形成成分を固化して膜パターン22を形成し、(c)第2の液滴24aを除去すること、を含む。
請求項(抜粋):
液滴吐出法によって、基板上の所定の膜形成領域に膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、(a)膜形成成分を含有する液状物からなる第1の液滴と、該第1の液滴と混ざり合わない性質を有する第2の液滴とを、隣り合う位置にそれぞれ吐出し、(b)前記第1の液滴に含まれる前記膜形成成分を固化して前記膜パターンを形成し、(c)前記第2の液滴を除去すること、を含む、膜パターンの形成方法。
IPC (11件):
H01B 13/00 503
, B05C 5/00 101
, B05C 11/10
, B05D 1/26
, B05D 1/34
, B05D 3/00
, G02F 1/1345
, H01L 21/288
, H01L 21/31
, H01L 21/3205
, H05K 3/46
FI (11件):
H01B 13/00 503 D
, B05C 5/00 101
, B05C 11/10
, B05D 1/26 Z
, B05D 1/34
, B05D 3/00 A
, G02F 1/1345
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/31 A
, H05K 3/46 C
, H01L 21/88 B
Fターム (69件):
2H092GA32
, 2H092GA39
, 2H092GA60
, 2H092HA12
, 2H092HA14
, 2H092HA15
, 2H092KB04
, 2H092KB06
, 2H092NA25
, 4D075AC06
, 4D075AC07
, 4D075AC08
, 4D075AE22
, 4D075BB26Z
, 4D075BB42Z
, 4D075BB65Z
, 4D075BB69Z
, 4D075CA22
, 4D075CA23
, 4D075DA06
, 4D075DB01
, 4D075DB11
, 4D075DB13
, 4D075DB31
, 4D075DC19
, 4D075DC21
, 4D075EA05
, 4D075EB32
, 4D075EB33
, 4D075EB39
, 4D075EC01
, 4D075EC07
, 4D075EC10
, 4D075EC30
, 4F041AA05
, 4F041AA06
, 4F041AB01
, 4F041BA13
, 4F042AA06
, 4F042AA07
, 4F042AB00
, 4F042BA08
, 4F042CC10
, 4F042DB00
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB36
, 4M104DD51
, 5E346AA60
, 5E346DD13
, 5E346FF45
, 5F033HH00
, 5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH40
, 5F033PP26
, 5F033SS21
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AB39
, 5F045BB08
, 5F045CB10
, 5F045EB19
, 5G323CA05
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