特許
J-GLOBAL ID:200903089995312138

リードレス光学素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-275087
公開番号(公開出願番号):特開平5-114752
出願日: 1991年10月23日
公開日(公表日): 1993年05月07日
要約:
【要約】【目的】 従来の高価で時間を要するダイボンド及びワイヤボンド工程を省略してリードレス光学素子を製造する。【構成】 多数の凹面部を有し、各凹面部に対応して立体パターンのめっき電極を設けた基板を備え、基板の各凹面部にバンプ付き半導体光学素子チップ5を落とし込み、落とし込んだチップ5のバンプ5a,5aをめっきにより成長させてチップ電極及び各凹面部電極3間を接続し、各凹面部単位で基板を分割して光学素子を構成する。
請求項(抜粋):
多数の凹面部を有し、各凹面部に対応して立体パターンのめっき電極を設けた基板を備え、基板の各凹面部にバンプ付き半導体光学素子チップを落とし込み、落とし込んだチップのバンプをめっきにより成長させてチップ電極及び各凹面部電極間を接続し、各凹面部単位で基板を分割して光学素子を構成することを特徴とするリードレス光学素子の製造方法。

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