特許

J-GLOBAL ID：200903090000813227

セラミック配線基板の製造方法

発明者： 浦島 和浩
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-427789
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191091
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 実装される半導体部品の小型化ないし高集積化に伴い、組み込まれる配線構造が複雑化ないし微細化しても、これらを簡便かつ高精度に形成できるセラミック配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 緻密化したセラミック材料からなる単位板材50’の少なくとも一方の主表面側に、配線部をなす層状導体要素30を収容する導体収容凹部30hを形成し、導体収容凹部30hに層状導体要素30をなす金属材料を充填することにより金属充填済み単位板材55を作製する。該金属充填済み単位板材55を板厚方向に積層して貼り合わせることにより、単位板材50’によりセラミック誘電体層50が形成され、層状導体要素30により金属導体層が形成されたセラミック配線基板2を得る。導体収容凹部30hへは金属材料を室温よりも低温にて圧縮状態にて充填し、その後室温に戻すことにより、導体収容凹部30hを形成しているセラミック材料と、層状導体要素30をなす金属材料との膨張変位の差に基づいて該層状導体要素30に対する圧縮応力を増加させる冷やし嵌め処理を行なう。【選択図】 図18

請求項（抜粋）：

緻密化したセラミック材料からなる単位板材の板厚方向にビアホールを形成し、また、該単位板材の少なくとも一方の主表面側に、配線部、面導体又はパッドからなる層状導体要素を収容する導体収容凹部を形成し、前記ビアホールに前記ビア導体となる金属材料を充填し、さらに、前記導体収容凹部に前記層状導体要素をなす金属材料を室温よりも低温にて圧縮状態にて充填し、その後室温に戻すことにより、前記導体収容凹部を形成しているセラミック材料と、前記層状導体要素をなす金属材料との膨張変位の差に基づいて該層状導体要素に対する圧縮応力を増加させた金属充填済み単位板材を作製し、 該金属充填済み単位板材を板厚方向に積層して貼り合わせることにより、前記単位板材によりセラミック誘電体層が形成され、前記層状導体要素により金属導体層が形成されたセラミック配線基板を得るセラミック配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K3/46 ,  H01L23/12

FI (5件)：

H05K3/46 H ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 Z ,  H01L23/12 D ,  H01L23/12 N

Fターム (16件)：

5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346BB03 ,  5E346BB04 ,  5E346BB16 ,  5E346CC16 ,  5E346CC18 ,  5E346CC21 ,  5E346DD13 ,  5E346EE27 ,  5E346EE28 ,  5E346FF13 ,  5E346FF23 ,  5E346GG15 ,  5E346HH26

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子部品実装用回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216039   出願人：京セラ株式会社