特許
J-GLOBAL ID：200903090002635350
微細パターンの光加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193006
公開番号（公開出願番号）：特開平5-196949
出願日： 1984年06月08日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 微細パターンを多数同一平面にマスクにより選択的に形成させること。【構成】 合成石英に密接して形成された微細パターンのマスクを形成し、該マスクにより400nm以下の波長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、該パルスレーザ光を基板の一主面に真空中で透過させて、該一主面に前記微細パターンを転写して選択的に除去もしくは変質させる。
請求項（抜粋）：
合成石英に密接して形成された微細パターンのマスクを形成し、該マスクにより400nm以下の波長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、該パルスレーザ光を基板の一主面に真空中で透過させて、該一主面に前記微細パターンを転写して選択的に除去もしくは変質させることを特徴とする微細パターンの光加工方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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