特許
J-GLOBAL ID：200903090007398926
パターン修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039821
公開番号（公開出願番号）：特開平5-241328
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】本発明は、パターン膜の欠落部分を集束イオンビームによる堆積膜により修正するための露光マスクのパターンの修正方法に関し、より垂直な側壁を有する修正パターン膜をパターン膜の欠落部分に精度良く形成することができるパターンの修正方法の提供を目的とする。【構成】露光マスクの基板5に形成されたパターン膜6の欠落部分7を集束イオンビームにより修正するパターン修正方法において、欠落部分7の周辺部領域以外の中央部領域にイオンビームを照射し、予め最終膜厚よりも薄い膜厚の第1の修正パターン膜9を形成した後、第1の修正パターン膜9を含む欠落部分7にイオンビームを照射し、欠落部分7に形成される修正パターン膜12の膜厚が最終膜厚となるように第2の修正パターン膜11を形成することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
欠落部分を有するパターン膜が形成された露光マスクの基板であって、前記欠落部分に形成すべき膜の構成元素が含まれる反応ガスに曝されている基板に、イオンビームを照射して該ビーム照射領域に前記構成元素からなる膜を形成することにより、前記欠落部分を修正するパターン修正方法において、前記欠落部分の周辺部領域以外の中央部領域にイオンビームを照射し、予め最終膜厚よりも薄い膜厚の第1の修正パターン膜を形成した後、前記第1の修正パターン膜を含む欠落部分にイオンビームを照射し、前記欠落部分に形成される修正パターン膜の膜厚が前記最終膜厚となるように第2の修正パターン膜を形成することを特徴とするパターン修正方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 506
, H01L 21/027
