特許
J-GLOBAL ID：200903090012767301
IGBTゲート回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141230
公開番号（公開出願番号）：特開平5-336732
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【構成】 IGBT1のゲート回路2は、IGBTのゲート-エミッタ端子間に接続されて構成される。IGBTのゲート端子にはゲート抵抗部20aが接続される。又ゲート抵抗部と直列にIGBTをオンするゲートオン手段として、ゲートオン用トランジスタ21、ゲートオン用直流電源22が、IGBTをオフするゲートオフ手段として、ゲートオフ用トランジスタ23、ゲートオフ用直流電源24が接続される。ゲート抵抗部はIGBTのオフ時にIGBTのコレクタ-エミッタ間電圧を検出し基準値と比較する比較回路204 を有し、異常値の場合トランジスタ202 のスイッチング動作により、ゲート抵抗値を可変する。【効果】 本発明では、通常時はゲート抵抗値を小さく設定してスイッチングロスを低減し、過電圧時などにはゲート抵抗値を大きく設定することにより、IGBTにかかるオーバーシュート電圧の最大値を抑制して、IGBTを電圧破壊から防止できる。
請求項（抜粋）：
IGBTのゲートオン信号をうけて、前記IGBTをオンするゲートオン手段と、前記IGBTのゲートオフ信号をうけて、前記IGBTをオフするゲートオフ手段と、前記IGBTのゲートと前記ゲートオン手段及び前記ゲートオフ手段との間に接続されたゲート抵抗と、前記IGBTのオフ時に、前記IGBTのコレクタ-エミッタ間電圧を検出し、所定の基準値と比較して、前記IGBTのコレクタ-エミッタ間電圧が異常値として検出された場合に、前記ゲート抵抗を可変するゲート抵抗可変手段とを備えてなることを特徴するIGBTゲート回路。
IPC (5件)：
H02M 1/08
, G05F 1/10 304
, H02M 3/00
, H02M 7/537
, H03K 17/56
