特許

J-GLOBAL ID：200903090012885398

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 竹中 敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126439
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313120
出願日： 1987年03月26日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】立ち上がりが急峻でVthが小さくてOFFりーく電流が小さい多結晶シリコン薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】多結晶シリコン薄膜のチャネルとなる領域にP型不純物を低濃度にドーピングする工程と、前記多結晶コン薄膜の選択的にN型不純物を高濃度にドーピングしてソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記ソース・ドレイン領域を形成した後に、水素処理を施す工程を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁性透明基板上に、Nチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタとPチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタとを有するCMOS型多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極形成前に、ボロンをチャネルドーピングする工程とゲート電極形成後に水素プラズマ処理工程あるいは水素イオン打込み工程あるいはプラズマ窒化膜形成工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 618 G ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-027066
  
• 特開昭60-058675
  
• 特開昭60-136259
  
• 特開昭60-164363