半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007883
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204467
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】微細パターンが形成された凹凸を有する基板表面に対し、化学的機械研磨(CMP)技術によりグローバル平坦化を行うための半導体製造装置および前記半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】研磨パッド12内に被処理基板14より硬度の高い粒子(シリカ粒子20)を配合させ、回転可能である研磨プレート回転軸11に支持された研磨プレート13上に前記研磨パッド12を固定する。キャリア15aにより保持された被処理基板14表面を、研磨パッド12中のシリカ粒子20により破砕して粗面化してから、ノズル19よりフッ酸溶液10を供給し、粗面化された基板14表面と反応させて研磨を行う化学的機械研磨装置。

請求項（抜粋）：

表面段差を有する半導体基板表面に対して機械的研磨を行う研磨パッドと、前記半導体基板表面に対して化学的研磨を行う溶液を供給する装置とを少なくとも有する半導体製造装置において、前記研磨パッドは、前記半導体基板より硬度の高い粒子が配合されている半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 621 D , B24B 37/00 C

前のページに戻る