環状シロキサンを含むCVD用絶縁膜原料組成物およびそれを用いた絶縁膜の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193614
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019377
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【解決課題】低誘電率と高機械強度を両立する絶縁膜を得ること【解決手段】エチル基、ビニル基、エチニル基、プロピル基、アリル基、ブチル基またはフェニル基よりなる群から選ばれる置換基を有する環状シロキサンを含むCVD用絶縁膜原料組成物及び、該CVD用絶縁膜原料組成物を気化または昇華して生成させたガスを、基材を静置した反応容器に導入した後、該ガスをプラズマ化して該基材上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

エチル基、ビニル基、エチニル基、プロピル基、アリル基、ブチル基、フェニル基よりなる群から選ばれる置換基を有する環状シロキサンを含むCVD用絶縁膜原料組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/312 , C08G 83/00 , C23C 16/32 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/312 C , C08G83/00 , C23C16/32 , H01L21/316 X , H01L21/90 J

Fターム (42件)：

4J031BA17 , 4J031BC05 , 4J031BD24 , 4J031CA06 , 4J031CA47 , 4J031CA89 , 4J031CE04 , 4J031CG33 , 4K030AA11 , 4K030BA36 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030LA02 , 4K030LA12 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F058AA10 , 5F058AB01 , 5F058AB06 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF02 , 5F058AG01 , 5F058AG07 , 5F058AG09 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF08 , 5F058BF09 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH01 , 5F058BH16 , 5F058BH17 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

低誘電率膜を堆積するためのプラズマ処理方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-531599 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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