特許

J-GLOBAL ID：200903090025433194

フォトダイオードおよびその製造方法

発明者： 松井 俊之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345162
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177119
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】Siフォトダイオードの長波長域の光感度と同時に400nm 以下の短波長域においても高い光感度を有するフォトダイオードとその製造方法を提供する。【解決手段】pn接合を有するフォトダイオードにおいて、前記pn接合を第1導電型のシリコン基板1と第2導電型のIII 族窒化物(Alx Iny Ga1-x-y N 、ただし0≦x ,y ≦1、0≦x +y ≦1)層2bとから形成し、シリコン側の空乏層に発生した光キャリアによる長波長側の光感度と、III 族窒化物層側の空乏層に発生した光キャリアによる短波長側の光感度とを併せもたせる。2aはバッファ層、3、4は各電極である。

請求項（抜粋）：

pn接合を有し、pn接合により形成された空乏層内に発生した光キャリアにより光検出を行うフォトダイオードにおいて、前記pn接合は第1導電型のシリコン基板と第2導電型のIII 族窒化物(Alx Iny Ga1-x-y N 、ただし0≦x ,y ≦1、0≦x +y ≦1)層とからなり、シリコン側の空乏層に発生した光キャリアによる長波長側の光感度と、III 族窒化物層側の空乏層に発生した光キャリアによる短波長側の光感度とを併せもつことを特徴とするフォトダイオード。