特許

J-GLOBAL ID：200903090027015330

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 奥村 智洋 ,  三橋 章男 ,  松井 卓也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195843
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、対向電極用高周波電源4により100MHzの高周波電力を整合回路5、高周波結合器6、アンテナ7及び誘電体8を介して対向電極9に供給することにより、真空容器1内に均一なプラズマが発生し、基板電極10上に載置された基板11に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を均一に処理することが可能である。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、整合回路、アンテナ、整合回路とアンテナを接続するための高周波結合器、アンテナと対向電極を容量的に結合するための誘電体を介して周波数50MHz乃至300MHzの高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  B62D 57/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H05H 1/46 M ,  B62D 57/00

Fターム (16件)：

5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB03