特許

J-GLOBAL ID：200903090028604917

GaN系結晶成長用基板およびその用途

発明者： 岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  宮下 啓二 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-192147
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040849
出願日： 1997年07月17日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 厚膜で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN系結晶基板を製造し得るGaN系結晶成長用基板を提供し、またそれを用いたGaN系結晶基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 ベース基板1のおもて面1aに、部分的にマスク層2を設けてマスク領域12と非マスク領域11とを形成する。マスク層はそれ自身の表面から実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなる。ベース基板の他方の面(裏面)1bには、ベース基板1に反りが生じようとするときに割れを誘発する破壊誘導部1cを設ける。破壊誘導部1cは、割れ面の起点となりかつ割れ面がマスク領域に到達するように形成する。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶が成長可能なベース基板の一方の面に、部分的にマスク層が設けられてマスク領域と非マスク領域とが形成され、マスク層はそれ自身の表面から実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなり、ベース基板の他方の面には、ベース基板に反りが生じようとするときに割れを誘発する破壊誘導部が設けられ、該破壊誘導部は、割れ面の起点となりかつ割れ面がマスク領域に到達するように形成されているGaN系結晶成長用基板。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C30B 23/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 23/02 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205