特許
J-GLOBAL ID：200903090033002801
半導体磁器組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-071444
公開番号（公開出願番号）：特開2005-255493
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 BaTiO3系半導体磁器組成物において、Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができるとともに、室温における抵抗率を大幅に低下させた、半導体磁器組成物の提供。【解決手段】 Baの一部をA1元素(Na、K、Liの少なくとも一種)とA2元素(Bi)で置換するとともに、さらにBaを特定量のQ元素で置換するか、Baの一部をA1元素(Na、K、Liの少なくとも一種)とA2元素(Bi)で置換するとともに、Tiの一部を特定量のM元素で置換することにより、最適な原子価制御ができ、室温における抵抗率を大幅に低下させることができ、PTCサーミスタ、PTCヒータ、PTCスイッチ、温度検知器など、特に自動車用ヒータなどの用途に最適である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
組成式を、[(A10.5A20.5)x(Ba1-yQy)1-x]TiO3 (但し、A1はNa、K、Liの一種又は二種以上、A2はBi、QはLa、Dy、Eu、Gdの一種又は二種以上)と表し、前記x、yが、0<x≦0.2、0.002≦y≦0.01を満足する半導体磁器組成物。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
4G031AA01
, 4G031AA04
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA09
, 4G031AA11
, 4G031AA14
, 4G031AA15
, 4G031AA30
, 4G031AA34
, 4G031AA35
, 4G031BA05
, 5E034AB01
, 5E034AC03
