特許

J-GLOBAL ID：200903090036207064

誘電体薄膜の高周波特性測定法

発明者： 活田 健治 ,  楳田 洋太郎 ,  石井 康信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055097
公開番号（公開出願番号）：特開平8-226941
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上の誘電体薄膜の高周波特性の測定につき、半導体基板と対応の基板上に、下部電極層、誘電体薄膜と同様の測定用誘電体薄膜、上部電極層の積層構成の測定用素子を形成し、その両電極層間の高周波特性の測定結果を用いる測定法において、誘電体薄膜の高周波特性をより正確に測定可能にする。【構成】 ?@基板上に、上部電極層が下部電極層と対向していないことを除いて測定用素子と同様形成の第1の補正用素子を形成し、その両電極層間の高周波特性を測定用素子の場合と同様に測定するとともに、?A基板上に、上部電極が下部電極層と対向していないこと及び下部電極層に連結していることを除いて測定用素子と同様形成の第2の補正用素子を形成し、その両電極層間の高周波特性を測定用素子の場合と同様に測定し、?B測定用素子の測定結果を、第1及び第2の補正用素子の測定結果で補正し、それを測定用素子の測定結果として用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される誘電体薄膜の高周波特性を測定するにつき、(a)上記半導体基板に対応している基板上に形成されている測定用下部電極層と(b)上記基板上に、上記測定用下部電極層上に延長して、上記半導体基板上に形成されている上記誘電体薄膜と同様に形成されている測定用誘電体薄膜と(c)上記測定用誘電体薄膜上に、上記測定用下部電極層と対向するように延長して形成されている測定用上部電極層とを有する測定用素子を形成し、上記測定用素子の上記測定用下部電極層及び上記測定用上部電極層間でみた高周波特性を測定し、その測定用素子の高周波特性の測定結果を用いる誘電体薄膜の高周波特性測定法において、(i)(a)上記基板上に、上記基板上に形成されている上記測定用下部電極層と同様に形成されている第1の補正用下部電極層と(b)上記基板上に、上記測定用下部電極層上に延長している上記測定用誘電体薄膜と同様に上記第1の補正用下部電極層上に延長して、上記基板上に形成されている上記測定用誘電体薄膜と同様に形成されている第1の補正用誘電体薄膜と(c)上記第1の補正用誘電体薄膜上に、上記測定用誘電体薄膜上に形成されている上記測定用上部電極層と、それが上記測定用下部電極層と対向して延長しているようには上記第1の補正用下部電極層と対向するように延長していないことを除いて、同様に形成されている第1の補正用上部電極層とを有する第1の補正用素子を形成し、その第1の補正用素子の上記第1の補正用下部電極層及び上記第1の補正用上部電極層間でみた高周波特性を、上記測定用素子の高周波特性の測定の場合と同様に測定するとともに、(ii)(a)上記基板上に、上記基板上に形成されている上記測定用下部電極層と同様に形成されている第2の補正用下部電極層と(b)上記基板上に、上記測定用下部電極層上に延長している上記測定用誘電体薄膜と同様に上記第2の補正用下部電極層上に延長して、上記基板上に形成されている上記測定用誘電体薄膜と同様に形成されている第2の補正用誘電体薄膜と(c)上記第2の補正用誘電体薄膜上に、上記測定用誘電体薄膜上に形成されている上記測定用上部電極層と、それが上記測定用下部電極層と対向して延長しているようには上記第2の補正用下部電極層と対向して延長していないこと及び上記第2の補正用下部電極層に連結していることを除いて、同様に形成されている第2の補正用上部電極層とを有する第2の補正用素子を形成し、その第2の補正用素子の上記第2の補正用下部電極層及び上記第2の補正用上部電極層間でみた高周波特性を、上記測定用素子の高周波特性の測定の場合と同様に測定し、(iii)上記測定用素子の高周波特性の測定結果を、上記第1の補正用素子の高周波特性の測定結果及び上記第2の補正用素子の高周波特性の測定結果で補正し、その補正された上記測定用素子の高周波特性の測定結果を、上記測定用素子の高周波特性の測定結果として用いることを特徴とする誘電体薄膜の高周波特性測定法。

IPC (4件)：

G01R 27/02 ,  G01R 27/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 27/02 A ,  G01R 27/26 Z ,  H01L 21/66 Y ,  G01R 31/28 U