特許
J-GLOBAL ID：200903090037129539
半導体基板、その製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270931
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109594
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【構成】多層構造半導体基板において、半導体装置基板(2)のオリフラ(4)に一致させて、支持基板(1)のオリフラ(5)を形成する。【効果】多層構造半導体基板の結晶方位を一義的に制御できる。これにより、本発明の多層構造半導体基板に製造する半導体装置においては、結晶方位に依存する緒現象を通常の半導体基板と同様に予め予測対処できる。さらに、配線または電極が埋め込まれたような新規構造の半導体装置を製造歩留りを損なうことなく製造できる。
請求項（抜粋）：
支持基板と、上記支持基板に比べて十分に薄く、かつ半導体装置を形成すべき半導体装置基板とを直接、または絶縁膜、半導体膜の少なくとも一方を介して貼り合せた半導体基板において、上記半導体装置基板および上記支持基板に設けた上記半導体装置の結晶方位を規定する目印が、上記半導体装置を形成すべき半導体チップの一辺と平行な方向に一致して設けてあることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
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