特許

J-GLOBAL ID：200903090039862047

電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよび半導体装置

発明者： 香取 健二 ,  広中 克行 ,  渡部 浩司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110830
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303377
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタと誘電体キャパシタとを縦方向に並べて配置し、誘電体キャパシタの下部電極をSiまたはWからなるプラグによりトランジスタの拡散層と接続する場合、誘電体キャパシタの誘電体膜の材料としてPZTはもちろん、高温の熱処理が必要なSBTなどをも用いることを可能とする電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリを提供する。また、プラグを形成した後のプロセス温度や時間の自由度が高い半導体装置を提供する。【解決手段】 誘電体キャパシタの下部電極の材料として、組成式Pda (Rh100-x-y-z Ptx Iry Ruz )b Oc (ただし、a、b、c、x、y、zは原子%で表した組成)で表され、その組成範囲が70≧a≧20、40≧b≧10、60≧c≧15、a+b+c=100、100>x≧0、100>y≧0、100>z≧0、100>x+y+z≧0である材料を用いる。また、半導体装置における拡散層とその上に設けられるプラグとの間の拡散防止層の材料としてこの材料を用いる。

請求項（抜粋）：

組成式Pda (Rh100-x-y-z Ptx Iry Ruz )b Oc(ただし、a、b、c、x、y、zは原子%で表した組成)で表され、その組成範囲が70≧a≧20、40≧b≧10、60≧c≧15、a+b+c=100、100>x≧0、100>y≧0、100>z≧0、100>x+y+z≧0であることを特徴とする電子材料。

IPC (12件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 1/08 ,  H01B 3/12 341 ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 1/08 ,  H01B 3/12 341 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371