特許
J-GLOBAL ID：200903090041375676
コンデンサー内蔵複合回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211987
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055079
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】高周波絶縁性に優れた絶縁体層と、高い比誘電率を有する温度補償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体層を同時に焼成一体化でき、かつ高い静電容量を有するコンデンサーを内蔵可能とする。【構成】温度補償用誘電体セラミックスを主成分とする誘電体層から形成されるコンデンサー部を、マグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )またはマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)と、硼珪酸マグネシウムガラスとから成るフォルステライト(Mg2 SiO4 )とメルウイナイト(Ca3 MgSi2 O8 )、モンチセライト(CaMgSiO4 )アカーマナイト(Ca2 MgSi2 O7 )またはエンスタタイト(MgSiO3 )の少なくとも1種の結晶相を含有する絶縁体層で挾着し同時焼成して一体化する。
請求項（抜粋）：
温度補償用誘電体セラミックスを主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、該誘電体層の上下面に電極層を設けてコンデンサー部を形成し、該コンデンサー部を絶縁体層で挾着したコンデンサー内蔵複合回路基板において、上記絶縁体層の主成分が、重量比で表わした図1に示す下記A、B、C、D、E、Fの各点で囲まれた範囲内のマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )またはマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)と、該マグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )またはマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)の合計100重量部に対し、1を越え15未満の重量部のSiO2 、MgO、B2 O3 、BaOを主成分とする硼珪酸マグネシウムガラスとから成ることを特徴とするコンデンサー内蔵複合回路基板。
IPC (2件)：
H01G 4/12 394
, C04B 35/16
