特許

J-GLOBAL ID：200903090043171407

回路配線基板の製造方法

発明者： 平野 立樹 ,  瀬古 恭平
出願人/特許権者： 釜屋電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304076
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145590
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 電極パッド部上に無電解めっき法によるめっき膜を効率良く形成することができるほか、不要部分へのめっき膜の成長を確実に防止することができ、しかも半田付けの際に良好な半田濡れ性を確保することができる回路配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 絶縁基板上に配線導体パターンを形成する工程と、該工程にて形成された配線導体パターンの電極パッド部を除く配線導体パターン上に保護膜を形成する工程と、電極パッド部を研磨する工程と、該工程にて研磨された電極パッド部上に、Ni-B系めっき膜を形成する工程と、該工程にて形成されたNi-B系めっき膜上に、Ni-P系めっき膜を形成する工程と、該工程にて形成されたNi-P系めっき膜上に、Au系めっき膜を形成する工程とを含むことを特徴とする回路配線基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に配線導体パターンを形成する工程と、該工程にて形成された配線導体パターンの電極パッド部を除く少なくとも配線導体パターン上に絶縁用の保護膜を形成する工程と、上記保護膜及び電極パッド部を含む基板全体を研磨する工程と、該工程にて研磨された電極パッド部上に、無電解めっき法によりNi-B系めっき膜を形成する工程と、該工程にて形成されたNi-B系めっき膜上に、無電解めっき法によりNi-P系めっき膜を形成する工程と、該工程にて形成されたNi-P系めっき膜上に、無電解めっき法によりAu系めっき膜を形成する工程とを含むことを特徴とする回路配線基板の製造方法。

FI (2件)：

H05K 3/24 D ,  H05K 3/24 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279580   出願人：京セラ株式会社
• 特開平3-291991
  
• 配線層の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202435   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭54-105772