特許
J-GLOBAL ID：200903090043906490
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222579
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326842
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 リーク電流か少なく、さらにリーク電流の温度依存性も小さい薄膜化が可能な容量絶縁膜構造を用いることを特徴とする半導体装置およびその製造方法を提供する。また本発明の製造方法によれば高誘電体膜と電極の反応を大幅に低減できる。【構成】 電子の移動度の小さいシリコン窒化膜と正孔の移動度が小さいSi酸化膜を下部電極側4から窒化膜6/酸化膜7/窒化膜8/酸化膜9の順番で交互に積層する。この構造の絶縁膜中を流れる電流成分は、電子であれ正孔であれ移動度の遅い層で律速を受ける。このためリーク電流は低減する。さらに本発明の酸化法によれば、数オングストローム程度の酸化膜厚の制御を厳密に行なうことができるため、薄膜化に対応可能である。また本発明の製造方法によれば、高誘電体膜と電極の間にシリコン窒化膜を形成することで下地シリコン電極と高誘電体膜の反応を抑えることができる。
請求項（抜粋）：
下部電極、絶縁膜、上部電極から構成されるキャパシタを有する半導体装置において、該絶縁膜としてシリコン窒化膜とシリコン酸化膜を交互に4層以上積層した多層絶縁膜を用いることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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