半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島一公
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335309
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】フィルムキャリヤに半導体素子を接続する半導体装置の歩留り及び信頼性を改善する。【構成】インナーリード6にバンプ4を介して半導体素子1が接合される構成で、バンプ4が半導体素子1の外周側の少なくともインナーリード6と接する領域に切欠き5を設けた半導体装置。【効果】バンプ4に設けた切欠き5により、接合時に生ずる金すず合金あるいは溶融半田等の過剰物が切欠き5にたまり、インナーリード6に沿って流れにくくなり、半田導体素子1のスクライブラインあるいは側面とは接触せず、リーク及びショート等の不良が発生せず、極めて高い歩留りと信頼性の向上ができた。

請求項（抜粋）：

フィルムキャリヤのインナーリードに金または半田その他の合金のバンプを介して半導体素子を接続した半導体装置において、前記バンプが半導体素子の外周側の少なくとも前記インナーリードと接する領域に切欠きあるいは凹部を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 B

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