特許

J-GLOBAL ID：200903090051059284

多孔質絶縁膜用組成物、その製造方法、多孔質絶縁膜およびその製造方法

発明者： 加納 丈嘉
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 野口 恭弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-080811
公開番号（公開出願番号）：特開2004-285266
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用しうる、適当な均一な厚さを有するシリコン系膜が形成可能であり、しかも耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、更に誘電率特性、リフロー性に優れた膜形成用組成物、特に多孔質絶縁膜用組成物及びその製造方法等を提供すること。【解決手段】一般式(1)で示されるケイ素化合物の加水分解物および/または縮合物を含有することを特徴とする多孔質絶縁膜用組成物、および、一般式(1)で示されるケイ素化合物を加水分解および/または縮合する工程を含むことを特徴とする多孔質絶縁膜用組成物の製造方法。【化1】(式中、R1およびR2は独立に水素または1価の有機基を示し、nは3〜10の整数を示す。)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

一般式(1)で示されるケイ素化合物の加水分解物および/または縮合物を含有することを特徴とする多孔質絶縁膜用組成物。

IPC (9件)：

C09D183/04 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C01B33/12 ,  C09D5/25 ,  C09D183/02 ,  H01B3/00 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

FI (9件)：

C09D183/04 ,  B05D5/12 D ,  B05D7/24 302Y ,  C01B33/12 C ,  C09D5/25 ,  C09D183/02 ,  H01B3/00 F ,  H01B3/46 D ,  H01L21/312 C

Fターム (57件)：

4D075BB24Y ,  4D075BB28Z ,  4D075BB93Z ,  4D075CA03 ,  4D075CA18 ,  4D075CA23 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EB43 ,  4D075EB47 ,  4D075EB53 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072KK15 ,  4G072KK17 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  4G072RR30 ,  4G072UU30 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038NA21 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5G303AA07 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA09 ,  5G303CB30 ,  5G305AA07 ,  5G305AA11 ,  5G305AB01 ,  5G305AB10 ,  5G305CA26 ,  5G305CD20