特許

J-GLOBAL ID：200903090052707913

X線マスク構造体及びその製造方法、X線マスク構造体を用いたX線露光方法及びそのX線露光方法により製造される半導体デバイス

発明者： 宮地 剛司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 吉田 勝広 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069069
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260398
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 支持枠と保持枠とを接着する接着剤に起因するマスクパターンの歪みの発生が抑えられた高精度のX線露光用のX線マスク構造体及びその製造方法、かかるX線マスク構造体を用いたX線露光方法及びそのX線露光方法により製造される半導体デバイスを提供すること。【構成】 支持枠上に形成されたX線透過膜と、該透過膜上に形成された所望のパターンを有するX線吸収体と、該支持枠を補強する保持枠と、更に該支持枠と該保持枠とを接着する為の接着層とからなるX線マスク構造体において、接着層が接着剤と該接着剤の体積を制御する為の部材とからなることを特徴とするX線マスク構造体及びその製造方法、かかるX線マスク構造体を用いたX線露光方法及びそのX線露光方法により製造される半導体デバイス。

請求項（抜粋）：

支持枠上に形成されたX線透過膜と、該透過膜上に形成された所望のパターンを有するX線吸収体と、該支持枠を補強する保持枠と、更に該支持枠と該保持枠とを接着する為の接着層とからなるX線マスク構造体において、接着層が接着剤と該接着剤の体積を制御する為の部材とからなることを特徴とするX線マスク構造体。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 331 M ,  H01L 21/30 331 E