特許

J-GLOBAL ID：200903090054281336

X線画像検出器

発明者： 會田 博之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043634
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246577
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【目的】 対象物を透過したX線強度分布を電気信号に変換するa-Se膜からTFTに出力される出力信号に含まれるノイズ成分を低減可能なX線画像検出器を提供する。【解決手段】 この発明のX線画像検出器1は、Se,As,Te,Cd,Sb,S等の元素またはその化合物を光導電層5として用い、その光導電層に接している電極材料4に、Si,C,Ge等の元素を含む非晶質半導体または多結晶半導体を用いている。

請求項（抜粋）：

X線を吸収することにより導電率が変化する光導電体層と、格子状に配置され、非晶質半導体中に発生した電荷分布を捕捉する捕捉電極と、この捕捉電極からの信号を、順次外部に取り出す機能を持つ回路と、前記光導電体層に電界を印加するための加圧電極、とが同一基板上に積層されている構造を持つX線画像検出器において、上記捕捉電極は、Si,CおよびGeのいずれか、またはそれらの化合物等を主成分とし、水素もしくはフッ素を少なくとも含む非晶質半導体もしくは多結晶半導体により形成されていることを特徴とするX線画像検出器。

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/00 ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32

FI (5件)：

G01T 1/00 B ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A

Fターム (34件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ32 ,  2G088LL11 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA19 ,  4M118CA14 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118FB03 ,  4M118FB08 ,  4M118FB13 ,  4M118FB18 ,  4M118HA26 ,  5C024AX11 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5F088AA11 ,  5F088AB05 ,  5F088BA03 ,  5F088BA04 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088FA01 ,  5F088FA04 ,  5F088FA09 ,  5F088GA02 ,  5F088JA03 ,  5F088LA08