特許

J-GLOBAL ID：200903090057115119

エッジフィルター

発明者： 池田 浩 ,  川俣 健
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060947
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250018
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 高屈折率層としてMoO3 やWO3 を含む層を用い、従来の成膜装置に何ら改造を加えることなく蒸発源からの輻射熱を低く抑える。【構成】 基板上にMoO3 およびWO3 の少なくとも一方を含む高屈折率層と、SiO2 からなる低屈折率層とを交互に積層する。

請求項（抜粋）：

基板上にMoO3 およびWO3 の内の少なくともいずれか一方を含んだ物質からなる高屈折率層と、SiO2 からなる低屈折率層とを交互に積層した構造を有することを特徴とするエッジフィルター。

IPC (2件)：

G02B 5/28 ,  G02B 1/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭48-083157
  
• 特開昭50-013451